2013年10月31日 星期四

創新晶體管效能進步 3C產品受益多

 【記者劉芸先綜合報導】香港科技大學電子及計算機工程系教授劉紀美,帶領團隊研發「高速省電複合晶體管」,此研發可應用於智慧型手機、平板電腦等3C產品,使中央處理器(Central Processing Unit, CPU)內的積體電路(Integrated Circuit, IC)較傳統元件效能高三倍、開關切換速度快五倍,甚至可望節省九成的電力。此技術近日獲得日本應用物理學會頒發JSAP優秀論文獎。

 現行的積體電路半導體材料分為兩類:一類為矽基底半導體,傳遞訊息速度較慢、不發光,但價格較低廉;二為高分子複合半導體(高速電子遷移率材料),以超高速傳遞訊息、能發光但價格高昂。科研界長期試圖將此二半導體各取其優點,合而為一,但卻苦無進展。「兩類半導體過往無法整合製作在一起,就像樂高積木因為尺寸不匹配,大塊積木無法嵌入小塊積木一樣。」台灣大學電機工程系教授陳良基說。

 劉紀美表示,「高速省電複合晶體管」突破過往的積體電路材料,利用不同的壓力與溫度,在此二半導體中嵌入多層緩衝層,將高速電子遷移率材料成功沉積至矽基底上,讓兩者整合成相同的微晶片。新研發開關切換速度快五倍,減少電力流失。另外嵌入的高速電子遷移率材料,大幅提高傳遞訊息速度,使積體電路運作更流暢。綜觀「高速省電複合晶體管」研發成果,能節省九成電力,並提高積體電路三倍效能。

 陳良基認為,此研發未來上市的可行性高,但仍須克服實際晶體良率低、漏電流高,與n型半導體載子速度快,但p型半導體載子速度慢等問題。他認為,實際上,可能無法達到省電九成。對此,劉紀美回應,目前研究已克服n型半導體載子速度較快的問題,但p型半導體載子速度問題,確是未來研發努力的方向。

 劉紀美提及,團隊未來希望研究如何利用光子當訊息載體,在矽基底上發展「光學集成電路」,若成功將大幅提高訊息傳遞的速度與穩定度。

小知識:
 良率:實際產出的產品中,扣除不良品後,良品所佔的比例。
 載子:能夠搭載電流的導電電子或導電空位(稱電洞)。

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